功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備IGBT|SiC靜態(tài)測(cè)試機(jī)的簡(jiǎn)單介紹
集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性
功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備IGBT|SiC靜態(tài)測(cè)試機(jī)的詳細(xì)信息
功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備IGBT|SiC測(cè)試機(jī)簡(jiǎn)介
普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，集多種測(cè)量和分析功能一體，可以精準(zhǔn)測(cè)量不同封裝類型功率器件（如MOSFET、 BJT、IGBT，以及SiC、GaN第三代半導(dǎo)體等）的靜態(tài)參數(shù)，具有高電壓和大電流特性、μΩ級(jí)導(dǎo)通電阻精確測(cè)量、nA級(jí)漏電流測(cè)量能力等特點(diǎn)。支持高壓模式下功率器件結(jié)電容測(cè)試，如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，配置有多種測(cè)量單元模塊，模塊化的設(shè)計(jì)測(cè)試方法靈活，能夠極大方便用戶添加或升級(jí)測(cè)量模塊，適應(yīng)測(cè)量功率器件不斷變化的需求。
系統(tǒng)組成 普賽斯PMST功率器件靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)，主要包括測(cè)試主機(jī)、測(cè)試夾具、工控機(jī)、上位機(jī)軟件等構(gòu)成。整套系統(tǒng)采用普賽斯自主開發(fā)的測(cè)試主機(jī)，內(nèi)置多種規(guī)格電壓、電流、電容測(cè)量單元模塊。結(jié)合專用上位機(jī)測(cè)試軟件，可根據(jù)測(cè)試項(xiàng)目需要，設(shè)置不同的電壓、電流等參數(shù)，以滿足不同測(cè)試需求。測(cè)試數(shù)據(jù)可保存與導(dǎo)出，并可生成I-V以及C-V特性曲線。此外，測(cè)試主機(jī)可與探針臺(tái)搭配使用，實(shí)現(xiàn)晶圓級(jí)芯片測(cè)試；也可與熱流儀、溫控模塊等搭配使用，滿足高低溫測(cè)試需求。 測(cè)試主機(jī)內(nèi)部采用的電壓、電流測(cè)量單元，均采用多量程設(shè)計(jì)，測(cè)試精度為0.1%。其中，柵極-發(fā)射極，蕞30V@10A脈沖電流輸出與測(cè)試，可測(cè)試低至pA級(jí)漏電流；集電極-發(fā)射極，蕞大支持6000A高速脈沖電流，典型上升時(shí)間為15μs，且具備電壓高速同步采樣功能；蕞高支持3500V電壓輸出，蕞高擴(kuò)展到12kV，且自帶漏電流測(cè)量功能。系統(tǒng)標(biāo)配C-V測(cè)試功能，支持Ciss/Coss/Crss參數(shù)及曲線測(cè)試，頻率默認(rèn)1MHz，可擴(kuò)展至10MHz
系統(tǒng)特點(diǎn) 高電壓：支持高達(dá)3.5KV高電壓測(cè)試（蕞大擴(kuò)展至12kV）；
大電流：支持高達(dá)6KA大電流測(cè)試（多模塊并聯(lián)）；
高精度：支持uΩ級(jí)導(dǎo)通電阻、nA級(jí)漏電流測(cè)試；
模塊化設(shè)計(jì)：內(nèi)部采用模塊化配置，可添加或升級(jí)測(cè)量單元；
測(cè)試效率高：可自動(dòng)切換、一鍵測(cè)試；
溫度范圍廣：支持常溫、高溫測(cè)試；
兼容多種封裝：根據(jù)測(cè)試需求可定制夾具；
系統(tǒng)參數(shù) | 項(xiàng)目 | 參數(shù) | | 集電極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 3500V(可拓展至12KV) | | 最大電流 | 1000A(可拓展至6000A) | | 準(zhǔn)確度 | ±0.1% | | 大電壓上升沿 | 典型值5ms | | 大電流上升沿 | 典型值15μs | | 大電流脈寬 | 50μs~500μs | | 漏電流測(cè)試量程 | 1nA~100mA | | 柵極-發(fā)射極 | 蕞大電壓 | 300V | | 蕞大電流 | 1A(直流)/10A(脈沖) | | 準(zhǔn)確度 | ±0.05% | | 最小電壓分辨率 | 30μV | | 最小電流分辨率 | 10pA | | 電容測(cè)試 | 典型精度 | ±0.5% | | 頻率范圍 | 10Hz~1MHz | | 電容值范圍 | 0.01pF~9.9999F | | 溫控 | 范圍 | 25℃~200℃ | | 準(zhǔn)確度 | ±2℃ |
測(cè)試項(xiàng)目
二極管：反向擊穿電壓VR、反向漏電流IR、正向電壓VF、 正向電流IF、電容值Cd、I-V曲線、C-V曲線 三極管：V(BR)CEO、V(BR)CBO、V(BR)EBO、ICBO、VCE(sat)、VBE(sat)、IC、IB、Ceb、 增益hFE，輸入特性曲線、輸出特性曲線、C-V特性曲線 Si MOS/IGBT/SiC MOS/GaN HEMT：V(BR)DSS/V(BR)CES、IDSS/ICES、VCE(sat)、RDS(on)、VSD/VF、VGS(th)/、VGE(th)、IGSS/IGES柵極內(nèi)阻Rg、輸入電容Ciss/Cies、輸出電容、Coss/Coes、反向傳輸電容Crss/Cres、跨導(dǎo)gfs、輸出特性曲線、 轉(zhuǎn)移特性曲線、C-V特性曲線 光耦(四端口以下)：IF、VF、V(BR)CEO、VCE(sat)、ICEO、IR、輸入電容CT、輸出電容CCE、 電流傳輸比CTR、隔離電容CIO
以上是功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備IGBT|SiC靜態(tài)測(cè)試機(jī)的詳細(xì)信息，如果您對(duì)功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備IGBT|SiC靜態(tài)測(cè)試機(jī)的價(jià)格、廠家、型號(hào)、圖片有任何疑問，請(qǐng)聯(lián)系我們獲取功率半導(dǎo)體測(cè)試設(shè)備IGBT|SiC靜態(tài)測(cè)試機(jī)的最新信息
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