材料
中化國(guó)際鋰電池負(fù)極材料項(xiàng)目落戶邯鄲(2017-11-14)
11月8日,中化集團(tuán)下屬中化國(guó)際鋰電池負(fù)極材料項(xiàng)目簽約落戶邯鄲磁縣。 中化國(guó)際下屬江蘇瑞盛新材料科技公司計(jì)劃分期分階段在河北磁縣經(jīng)濟(jì)開發(fā)區(qū)建設(shè)3萬(wàn)噸中間相碳微球負(fù)極材料項(xiàng)目,通過技術(shù)引進(jìn)…[詳情]
高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲(chǔ)材料研究獲重要發(fā)現(xiàn)(2017-11-14)
集成電路產(chǎn)業(yè)是“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。存儲(chǔ)器是集成電路最重要的技術(shù)之一,是國(guó)家核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn)。我國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地,存儲(chǔ)器的自給能力還相對(duì)較弱。國(guó)外三星、英…[詳情]
新材料可大幅提高電子存儲(chǔ)速度(2017-11-14)
中國(guó)科學(xué)家在最新一期美國(guó)《科學(xué)》雜志上發(fā)表報(bào)告說(shuō),已開發(fā)出一種新型相變材料,有望將電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)速度提高約70倍左右。 相關(guān)成果由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊(duì)取得。宋志棠等…[詳情]
高速低功耗新型鈧銻碲相變存儲(chǔ)材料研究獲重要發(fā)現(xiàn)(2017-11-13)
集成電路產(chǎn)業(yè)是“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略新興產(chǎn)業(yè)。存儲(chǔ)器是集成電路最重要的技術(shù)之一,是國(guó)家核心競(jìng)爭(zhēng)力的重要體現(xiàn)。我國(guó)作為全球電子產(chǎn)品的制造基地,存儲(chǔ)器的自給能力還相對(duì)較弱。國(guó)外三星、英…[詳情]
新材料可大幅提高電子存儲(chǔ)速度(2017-11-13)
中國(guó)科學(xué)家在最新一期美國(guó)《科學(xué)》雜志上發(fā)表報(bào)告說(shuō),已開發(fā)出一種新型相變材料,有望將電子產(chǎn)品的存儲(chǔ)速度提高約70倍左右。 相關(guān)成果由中科院上海微系統(tǒng)與信息技術(shù)研究所宋志棠團(tuán)隊(duì)取得。宋志棠等…[詳情]
全國(guó)電磁屏蔽材料標(biāo)委會(huì)2017年年會(huì)順利召開(2017-11-09)
2017年10月31日至11月2日,全國(guó)電磁屏蔽材料標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)(SAC/TC323)2017年年會(huì)在江蘇蘇州召開。來(lái)自企事業(yè)單位、科研院所的40名委員、技術(shù)代表、觀察員及專家參加了會(huì)議。會(huì)議由主任委員齊魯主持…[詳情]
合肥研究院光催化制氫材料研究獲進(jìn)展(2017-11-09)
近日,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院應(yīng)用技術(shù)研究所先進(jìn)材料中心研究團(tuán)隊(duì),在金屬/半導(dǎo)體復(fù)合光催化制氫材料研究方面取得了新進(jìn)展,相關(guān)研究成果以Photocatalytichydrogenproductionoverplasmonic…[詳情]
國(guó)家納米中心“活體自組裝”生物納米材料研究工作獲進(jìn)展(2017-11-09)
近日,中國(guó)科學(xué)院國(guó)家納米科學(xué)中心王浩課題組通過發(fā)展“活體自組裝”技術(shù),在細(xì)胞內(nèi)構(gòu)建了不同拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)的納米材料,并提出了全新的細(xì)胞內(nèi)原位聚合和組裝策略,為功能性納米材料的設(shè)計(jì)提供…[詳情]
合肥研究院在納米材料對(duì)放射性核素富集研究中獲進(jìn)展(2017-11-08)
近日,中國(guó)科學(xué)院合肥物質(zhì)科學(xué)研究院等離子體物理研究所應(yīng)用等離子體研究室孫玉兵課題組在納米材料對(duì)放射性核素富集研究方面取得進(jìn)展。 科研人員近期合成了各種碳基復(fù)合材料,可以實(shí)現(xiàn)對(duì)放射性核…[詳情]
第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球關(guān)注(2017-11-06)
日前,中歐第三代半導(dǎo)體高峰論壇在廣東省深圳市舉行,來(lái)自中國(guó)和歐洲從事碳化硅、氮化鎵等第三代半導(dǎo)體技術(shù)研究的200多位知名專家學(xué)者和產(chǎn)業(yè)界人士匯聚一堂,探討第三代半導(dǎo)體材料的前沿技術(shù)和發(fā)展…[詳情]